produktuaren propietateak
MOTA
DESKRIBATZEA
kategoria
Produktu erdieroale diskretuak
Transistorea – FET, MOSFET – Bakarra
fabrikatzailea
Infineon Teknologiak
seriea
CoolGaN™
Paketea
Zinta eta bobina (TR)
Zizaila-banda (CT)
Digi-Reel® bobina pertsonalizatua
Produktuaren egoera
etenda
FET mota
N kanala
teknologia
GaNFET (galio nitruroa)
Drain-iturriaren tentsioa (Vdss)
600V
Korrontea 25 °C-tan - Etengabeko drainamendua (Id)
31A (Tc)
Drive-tentsioa (Max Rds aktibatuta, Min Rds aktibatuta)
-
On-erresistentzia (gehienez) Id desberdinetan, Vgs
-
Vgs(th) (gehienez) Id ezberdinetan
1,6V @ 2,6mA
Vgs (gehienez)
-10V
Sarrerako kapazitatea (Ciss) Vds desberdinetan (gehienez)
380pF @ 400V
FET funtzioa
-
Potentzia xahutzea (gehienez)
125 W (Tc)
funtzionamendu-tenperatura
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
instalazio mota
Gainazaleko muntaketa mota
Hornitzaileen gailuen paketea
PG-DSO-20-87
Paketea / Itxitura
20-PowerSOIC (0,433″, 11,00 mm-ko zabalera)
Oinarrizko produktuaren zenbakia
IGOT60
Multimedia eta Deskargak
BALIABIDE MOTA
LOTURA
Zehaztapenak
IGOT60R070D1
GaN Hautaketa Gida
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs laburpena
Lotutako beste dokumentu batzuk
GaN egokitzaile/kargagailuetan
GaN zerbitzarian eta telekomunikazioetan
CoolGaN-en errealtasuna eta kualifikazioa
Zergatik CoolGaN
GaN haririk gabeko kargatzean
bideo fitxategia
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT zubi erdiko ebaluazio plataforma GaN EiceDRIVER™rekin
CoolGaN™ - botere paradigma berria
2500 W-ko zubi osoko totem-pole PFC ebaluatzeko taula CoolGaN™ 600 V erabiliz
HTML Zehaztapenak
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs laburpena
IGOT60R070D1
Ingurumen eta Esportazio Sailkapena
ATRIBUTUAK
DESKRIBATZEA
RoHS egoera
ROHS3 zehaztapenarekin bat dator
Hezetasun-sentsibilitate maila (MSL)
3 (168 ordu)
REACH egoera
REACH ez diren produktuak
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
